0 шт.0.00 грн.

Корзина пуста.

Категория: Силовые транзисторы (Биполярные)

Товары / Полупроводниковые приборы / Транзисторы и другие активные компоненты / Силовые транзисторы (Биполярные)

Силовые транзисторы (Биполярные)

Показ всех 12 элементов

  • Заполнитель

    C5706 характеристики: Структура: n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 560 Граничная частота коэффициента передачи тока: 400 МГц Корпус: TO-251

    Подробнее
  • Заполнитель

    H25R1203 (IHW25N120R3) часто применяется в индукционных печах, IGBT Single Transistor. Характеристики H25R1203: Сила тока: 25 A Напряжение: 1200 В Корпус: TO-247

    В корзину
  • 1000ВNPT IGBT обеспечивает превосходные характеристики проводимости и переключения, высокую лавинопрочность и легкую параллельную работу. Это устройство обеспечивает оптимальную производительность для приложений жесткой коммутации, таких как UPS, сварочные аппараты. Характеристики FGL60N100BNTD: Высокоскоростное переключение Напряжение: V CE (sat) = 2,5 В @ I C = 60A Высокое входное сопротивление Применение: бесперебойные источники питания

    Подробнее
  • FGL40N120AND серия AN предлагает решение для применения, такое как индукционный нагрев (IH), управление двигателем, инверторы общего назначения и источники бесперебойного питания (ИБП). Характеристики FGL40N120AND: Высокоскоростное переключение Низкое напряжение насыщения: V CE (sat) = 2,6 В @ I C = 40 A Высокий входной импеданс Co-PAK, IGBT с FRD: trr = 75 нс (тип.)

    Подробнее
  • Заполнитель

    2SC3199 обозначение на корпусе транзистора часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как “C3199”. Характеристики 2SC3199: Структура: n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 В Ток коллектора, не более: 0,15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по …

    2SC3199 (C3199, TO-92S) – Tранзистор NPNRead More

    В корзину
  • Заполнитель

    AP4511GH характеристика: Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10.4 Вт Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 В Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15(12) А Максимальная температура канала (Tj): 150 град Время нарастания (tr): 7(6) с Выходная емкость (Cd): 150(165) пФ Сопротивление сток-исток открытого транзистора …

    AP4511GH D-PAK – Силовой ключRead More

    В корзину
  • Заполнитель

    Технические характеристики MJE13003 (JE13003): Структура: n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 В Ток коллектора, не более: 1,5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 40 Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц Корпус: TO-126

    В корзину
  • Заполнитель

    Технические характеристики 2SC5707 C5707: Тип транзистора: биполярный Тип биполярного транзистора: N-P-N Максимально допустимое напряжение коллектор-база: 80 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер: 80 В Максимально допустимый ток коллектора: 8 А

    В корзину
  • IRFZ44N характеристики: Корпус: TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток: 55 В Максимальное напряжение затвора: 20 В Ток стока: 41 А Заряд затвора: 42,0 нКл Рассеиваемая мощность: 83 Вт Сопротивление в открытом состоянии: 17,5 мОм Термосопротивление: 1,8 К/Вт

    В корзину
  • E13007-2 характеристики: Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 Вт Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 В Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 В Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 А Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 В Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 пФ Предельная температура PN-перехода (Tj): 150° Статический коэффициент передачи …

    E13007-2 – Транзистор биполярныйRead More

    В корзину
  • E13009-2 характеристики: Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 Вт Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 В Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 В Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 А Предельная температура PN-перехода (Tj): 150° Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 пФ Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8 Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база …

    E13009-2 (TO-220) – Транзистор биполярныйRead More

    В корзину
  • FGA25N120ANTD FGA25N120 25N120 характеристики: Маркировка: FGA25N120 Производитель: Fairchild Корпус: TO-3P Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В Максимальный ток коллектор-эмиттер: 50 А Напряжение насыщения: 2 В Управляющее напряжение: 5,5 В Максимальная рассеиваемая мощность: 312 Вт Прямой ток диода: 25 А Диапазон рабочих температур: -55 – +150°C FGA25N120 (25N120) представляет собой n-канальный биполярный транзистор c изолированным затвором (IGBT) …

    FGA25N120ANTD FGA25N120 25N120 – IGBT транзисторRead More

    Подробнее

Обратный звонок



      ru_RUРусский
      Присоединиться к списку ожидания Мы сообщим вам, когда товар поступит на склад. Пожалуйста, оставьте свой действующий адрес электронной почты ниже.