Категория: Транзисторы и другие активные компоненты

Товары / Полупроводниковые приборы / Транзисторы и другие активные компоненты

Транзисторы и другие активные компоненты

Отображение 1–16 из 75

IGBT транзисторы (5)
Силовые транзисторы (Биполярные) (12)
Силовые транзисторы (Полевые) (19)
Транзисторные сборки (10)
Транзисторы общего назначения (30)
AON6504 6504 (DFN8, 30V, 85A) – Транзистор N-канальный AlphaMOS MOSFET
17.21 грн.
В наличии

AON6504 6504 DFN8 30V 85A VDS 30V ID (at VGS=10V) 85A RDS(ON) (at VGS=10V) < 2.1mΩ RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 3.2mΩ Применение: в преобразователях DC/DC в вычислительной технике и серверном оборудовании в телекоммуникационном и промышленном оборудовании

В корзину

wishlist
MMBT4403 2N4403 40V 0,6A PNP SOT-23 (2T)
0.52 грн.
В наличии

Транзистор биполярный MMBT4403 2N4403 40V 0,6A PNP SOT-23 (2T): Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В. Ток коллектора: 600 мА. Коэффициент усиления по току 300. Структура: PNP. Мощность: 225 мВт. Корпуса: SOT23.

В корзину

wishlist
SI2301 (A1SHB, 20V 2,3A, SOT-23) – Транзистор MOSFET p-канальный
3.35 грн.
В наличии

Полевой транзистор SI2301 SOT-23 20V 2,3A P-канальный MOSFET маркировка A1SHB: Напряжение сток-исток: 20 В Ток: 2,3 А Мощность: 1,25 Вт Корпус: SOT-23

В корзину

wishlist
SS8550 25V 1.5A PNP SOT-23 (Y2)
1.31 грн.
В наличии

Биполярный транзистор SS8550 SOT-23: Напряжение коллектор-эмиттер: 25 В Ток коллектора 1.5 А Структура: PNP Корпус: SOT23

В корзину

wishlist
MMBT3904 40V 0.2A NPN SOT-23 (1AM)
1.17 грн.
В наличии

MMBT3904 транзистор NPN характеристики: VCBO collector-base voltage open emitter: 60 V VCEO collector-emitter voltage open base: 40 V VEBO emitter-base voltage open collector: 6 V IC collector current (DC): 200 mA ICM peak collector current: 200 mA IBM peak base current: 100 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C;: 250 mW Tstg storage …

MMBT3904 40V 0.2A NPN SOT-23 (1AM)Read More

В корзину

wishlist
AO3400 SOT-23 30V 5.8A N-ch MOSFET (A09T)
3.49 грн.
Нет в наличии

Транзистор полевой AO3400 SOT-23 30V 5.8A N-канальный MOSFET маркировка A09T: VDS 30V ID (at VGS=10V) 5.8A RDS(ON) (at VGS=10V) < 28mΩ RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 33mΩ RDS(ON) (at VGS = 2.5V) < 52mΩ

Подробнее

wishlist
AO3401 A19T (SOT-23, 30V, 4A) – Транзистор P-ch MOSFET
3.49 грн.
В наличии

Транзистор AO3401 (A19T) характеристики: VDS -30V ID (at VGS=-10V) -4.0A RDS(ON) (at VGS=-10V) < 50mΩ RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 60mΩ RDS(ON) (at VGS=-2.5V) < 85mΩ

В корзину

wishlist
Транзистор NPN 2N5551 CXT5551 180V 0,6A SOT-89 (1G6)
2.62 грн.
В наличии

Транзистор NPN 2N5551 CXT5551 180V 0,6A характеристики: Корпус: SOT-89 Маркировка: 1G6

В корзину

wishlist
STB75NF75 B75NF75 75V 80A
23.23 грн.
В наличии

STB75NF75 B75NF75 75V 80A характеристики: Корпус: D2PAK. Транзистор полевой N-канальный. Vdss = 75 В; Id25°C = 80 А; Id100°C = 70 А; Rds = 0.0095 Ом; Pd = 300 Вт; R°C/W = 0.5 °C/Вт.

В корзину

wishlist
BSC0921NDI 0921NDI (PG-TISON-8) – Двойной N-канальный МОП-транзистор
58.08 грн.
В наличии

Двойной N-канальный МОП-транзистор BSC0921NDI 0921NDI: Тип – BSC0921NDI Маркировка – 0921NDI Корпус – PG-TISON-8 Максимальное напряжение сток-исток – 30 В Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса – 40А Сопротивление открытого канала (мин) – 1,2 МОм Диапазон номинальных напряжений затвора – 4,5…10 В Максимальное напряжение затвора – 20 В Заряд затвора – 22 …

BSC0921NDI 0921NDI (PG-TISON-8) – Двойной N-канальный МОП-транзисторRead More

В корзину

wishlist
BSC0923NDI 0923NDI двойной N-канальный МОП-транзистор
58.08 грн.
В наличии

BSC0923NDI 0923NDI двойной N-канальный МОП-транзистор характеристики: Тип: BSC0923NDI Маркировка: 0923NDI Корпус: PG-TISON-8 Максимальное напряжение сток-исток: 30 В Ток стока номинальный при 25 °C, без учета ограничений корпуса: 40А Сопротивление открытого канала (мин): 2,1 МОм Диапазон номинальных напряжений затвора: 4,5…10 В Максимальное напряжение затвора: 20 В Заряд затвора: 12 нКл Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт Ёмкость затвора: …

BSC0923NDI 0923NDI двойной N-канальный МОП-транзисторRead More

В корзину

wishlist
H20R1353 (IHW20N135R3, TO-247) – IGBT транзистор
60.98 грн.
В наличии

H20R1353 (IHW20N135R3) характеристики: Корпус TO-247 IGBT транзистор Vces = 1350 В Vges = ± 20 В Ic 25°C = 40 А Ic 100°C = 20 А Pd = 155 Вт R°C/W = 0,48 °C/Вт

В корзину

wishlist
H30R1353 (IHW30N135R3, TO-247) – IGBT транзистор
66.78 грн.
В наличии

H30R1353 (IHW30N135R3) характеристики: Корпус TO-247 IGBT транзистор Vces = 1350 В Vges = ± 20 В Ic 25°C = 60 А Ic 100°C = 30 А Pd = 175 Вт R°C/W = 0.43 °C/Вт

В корзину

wishlist
40N120 TGAN40N120FDR IGBT TO-3P – Транзистор
145.18 грн.
В наличии

40N120 TGAN40N120FDR IGB характеристики: Корпус TO-3P IGBT транзистор Vces = 1200 В Vges = ± 20 В Ic 25°C = 80 А Ic 100°C = 40 А Pd = 500 Вт R°C/W = 0.25 °C/Вт

В корзину

wishlist
G80N60 (G80N60UFD, TO-3P) – IGBT транзистор
104.17 грн.
В наличии

G80N60 (G80N60UFD) характеристики: Корпус TO-3P Ультрабыстрый IGBT транзистор Vces = 600 В Vges = ± 20 В Ic 25°C = 80 А Ic 100°C = 40 А Pd = 195 Вт R°C/W = 0,64 °C/Вт

В корзину

wishlist
IRF840 500V 8A TO-220 – Транзистор полевой N-канальный
13.07 грн.
В наличии

IRF840 характеристики: Корпус TO-220 Транзистор полевой N-Канальный Vdss = 500 В Id25°C = 8 А Id100°C = 5,1 А Rds = 0.85 Ом Pd = 125 Вт R°C/W = 1 °C/Вт

В корзину

wishlist